Victor Ryzhii博士,日本东北大学教授
Victor Ryzhii博士,出生于1946年,乌克兰(前苏联共和国),于1967年和1970年在莫斯科物理研究所获得硕士和博士学位。于1976年从苏联最高认证委员会认证为科学博士学位(教授资格)
1970年至1993年,Ryzhii博士在教育和工业机构占领重要学术地位,在苏联和俄罗斯科学院亦是如此,那时,他的职位从副教授上升为副主任,同时担任另一个协会的副院长。Ryzhii博士在1993年至2012年期间,是日本会津大学的教授。2012年退休后,他继续担任这所大学的名誉教授。从2012年至今,Ryzhii博士一直是日本东北大学电子通讯研究所的客座教授,同时也是超高频半导体电子研究所的研究员和莫斯科国立鲍曼技术大学光电和红外工程中心的研究生导师。Ryzhii博士以第一作者和共同作者发表了大量的论文,包括子在微观和纳米结构电子和光电设备方面的理论及模拟等。
1987年,Ryzhii博士当选为苏联科学院会员(现已改名为俄罗斯科学院),2004年成为电气和电子工程师学会会员及美国物理学会会员。
演讲题目:Concepts of Terahertz Devices Based on Graphene Heterostructures with Lateral and Vertical p-n Junctions
主题会场石墨烯在光电器件领域的应用
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内容摘要
Different graphene layer (GL) heterostructures with lateral p-n junctions can be effective building blocks for novel terahertz (THz) and for optoelectronic devices. In this presentation, we overview the concepts of different THz devices based on single-GL, bilayer-GL, multiple MGL, and double-GL heterostructures with the electrically induced p-n junctions:
(i). The tunneling transit-time THz oscillators based on GL reverse-biased lateral p-n junctions;
(ii). THz detectors using the nonlinearity of the p-n junction current-voltage characteristics and resonant plasmonic effects;
(iii). Interband THz detectors based on reverse-biased lateral p-n junctions;
(iv). THz lasers based on differen GL structures with the interband population inversion, ena-bled by the double injection of electrons and holes, with dielectric, slot-line, distributed feedback, and plasmonic cavities.