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演讲嘉宾-Ana I. Ballestar Balbás
Ana I. Ballestar Balbás
科学家,西班牙阿拉贡纳米科学研究所
Ana Ballestar在西班牙萨拉戈萨研究大学物理.固体物理学她拥有两个硕士学位:一个是2005年在法国雷恩大学获得,研究III-V族半导体化合物的量子点;第二个是在2008年马德里自治大学,研究了纳米颗粒化的磁性薄膜后获得。在2014年,她在莱比锡大学(德国)完成了她的博士学位,论文题为“超导在石墨接口”。她的专业领域是:调查(磁)不同材料的传输性能;制造、薄膜的微观结构和图案形成与制造;不同的显微技术形成的结构表面特征(例如AFM、SEM…)。
她目前在GPNT,主要负责公司制造石墨烯膜的质量把控,使用等等。她是创新部协同领导,一直接触着最新的研究成果希望找到石墨烯能够工业大规模应用的潜力。
演讲题目:在碳化硅上生长的石墨烯的高电子迁移率和低场量子霍尔效应
主题会场
石墨烯薄膜大面积、连续化制备技术
开始时间
结束时间
内容摘要
迅速增长的电子和技术行业需要性能优异的新型材料。目前我们似乎正在进入一个二维材料的新时代,基于二维材料的超凡性能,其在新设备的开发上展现出惊人的潜力。当涉及到工业化和商业化,两个主要问题必须面对:经济环保的标准化制造工艺和最终产品的高质量。而这些也正是我们努力的方向。我们通过碳化硅的选择性升华及其自优化得到保持主要性能的高品质石墨烯。拉曼光谱显示,我们获得的碳化硅基板覆盖着超过85%以上的优质石墨烯。为了证实上述结果,我们将沿着碳化硅面制备出的霍尔条器件进行的测试,结果表明:其电子迁移率高达40000cm2V-1s-1,同时量子霍尔效应中得到低磁场平台。以上各点使得我们的石墨烯成为一种理想的候选材料,克服技术上的难题,在所需的工业中发挥其潜力。
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