随着微电子器件运行速度越来越快、尺寸越来越小，所在芯片产生的热量也变的越来越多。此外，不均匀散热也导致了芯片中特定区域过热现象的产生，从而严重影响了电子器件的运行性能和可靠性。一般来说，热点温度下降20°C，晶体管寿命可以延长一个数量级。因此，局部高热通量热点的热管理在微电子封装中显地非常重要。在本报告中，将介绍新型二维材料在微电子封装散热方面的应用，包括水平和竖直石墨烯基薄膜，以及六方氮化硼薄膜。为了替代传统的二氧化硅（SiO2）等导热率较差的绝缘材料，石墨烯和六方氮化硼叠层结构和复合结构被开发出来。与叠层结构相比，石墨烯和六方氮化硼复合结构可以实现更好的散热和绝缘性能。在施加热流密度1000 W/cm2情况下，热点温度可以降低8到10°C。总而言之，上述这些二维材料已经被证明能够有效降低热点温度，未来极有可能成为微电子封装散热材料。

　　随着微电子器件运行速度越来越快、尺寸越来越小，所在芯片产生的热量也变的越来越多。此外，不均匀散热也导致了芯片中特定区域过热现象的产生，从而严重影响了电子器件的运行性能和可靠性。一般来说，热点温度下降20°C，晶体管寿命可以延长一个数量级。因此，局部高热通量热点的热管理在微电子封装中显地非常重要。在本报告中，将介绍新型二维材料在微电子封装散热方面的应用，包括水平和竖直石墨烯基薄膜，以及六方氮化硼薄膜。为了替代传统的二氧化硅（SiO2）等导热率较差的绝缘材料，石墨烯和六方氮化硼叠层结构和复合结构被开发出来。与叠层结构相比，石墨烯和六方氮化硼复合结构可以实现更好的散热和绝缘性能。在施加热流密度1000 W/cm2情况下，热点温度可以降低8到10°C。总而言之，上述这些二维材料已经被证明能够有效降低热点温度，未来极有可能成为微电子封装散热材料。